नेक्सपेरिया यूएसबी 4 ईएसडी क्लॅम्पमध्ये केवळ 100 एफएफ जोडले गेले आहे

“यूएसबी 4 आणि थंडरबोल्ट इंटरफेस डिझाइन करणार्‍या अभियंत्यांसाठी विशेष रुची आहे, नवीन सिलेक्टॉन सिलिकॉन-नियंत्रित सुधारणेसह नेक्सपेरियाचे ट्राईओएस ईएसडी संरक्षण तंत्रज्ञान वापरते.” "हे 0.1pF पर्यंत एकत्रित कॅपेसिटन्स वितरीत करते), डायनॅमिक प्रतिकार खाली 0.1Ω आणि 20 ए 8 / 20µ च्या वाढीच्या बळकटी खाली."

भाग क्रमांक PESD2V8R1BSF आहे, आणि तो कमी-इंडक्शनन्स 0.6 x 0.3 x 0.3 मिमी DSN0603-2 (SOD962) पॅकेजमध्ये येतो.

“सिग्नल अखंडतेचे प्रश्न टाळण्यासाठी, पीईएसडी 2 व्हीआरआरबीएसएफ ईएसडी प्रोटेक्शन डायोड 10GHz येथे -0.21dB ची इन्सर्टेशन लॉस आणि 10GHz येथे -17.4dB चा परतावा देते,” असे नेक्सपेरिया प्रॉडक्ट मॅनेजर स्टेफन सीडर यांनी सांगितले. “डिव्हाइस यूएसबी 2.२ च्या उच्च व्होल्टेज आवश्यकतांसाठी योग्य आहे. याचा अर्थ ते युएसपी 3.2 सह मागील बाजूस सुसंगत असूनही युरोपिंग कॅपेसिटन्सचे संरक्षण करण्यासाठी हे यूएसबी टाइप-सी कनेक्टरच्या अगदी मागे ठेवता येते. ”

ऑपरेशन द्वि-दिशात्मक आणि स्नॅप-बॅक आहे - जेथे लागू व्होल्टेज उच्च उंबरठ्यावर पोहोचल्यानंतर ते कमी व्होल्टेजवर क्लेम होते - म्हणून ते अमर्यादित डीसी स्रोतांशी कनेक्ट केले जाऊ शकत नाही. क्लॅम्पिंग इव्हेंटनंतर डिव्हाइस स्नॅप-बॅक अवस्थेत ठेवू नये - डेटा शीट पहा (या उत्पादनाच्या पृष्ठाद्वारे उपलब्ध). रिव्हर्स स्टँड-ऑफ व्होल्टेज -2.8 ते + 2.8 व्ही आहे.

100 एफएफची कॅपेसिटन्स 1 जीएचझेड 25 डिग्री सेल्सियस शून्य रिव्हर्स व्होल्टेजसह मोजली जाणारी एक विशिष्ट आकृती आहे. तुझ्या अंतर्गत कमाल परिस्थिती 150fF आहे.